相变存储器（PCM）是一种利用锗锑碲（GST）合金材料在非晶态与晶态之间发生快速、可逆相变的特性来存储数据的非易失性存储器，具有高速度、低功耗和高存储密度等优点，在汽车电子、人工智能计算、工业控制等嵌入式领域发挥着重要作用。

GST材料退火的两大核心应用

在GST材料的研发与器件制造过程中，退火是一项关键且必须的工艺环节，其主要应用体现在以下两个方面：

材料晶化与性能调控

在器件制备初期，需通过退火工艺实现均匀、可控的晶体化，将其从高电阻转为低电阻（即非晶态→晶态），以获得特定的电学或光学性能；

相变行为与器件性能研究

通过在不同温度与时间条件下对GST样品进行退火实验，可观测其电阻与结构变化，为器件优化提供关键数据支撑。

*GST材料，图源网络，侵删

GST与传统半导体材料退火的区别

与传统半导体材料（如硅）通过退火修复晶格损伤不同，GST（锗锑碲）材料的退火并非单纯的缺陷修复过程。

*GST材料与传统半导体材料退火的区别

GST材料退火的核心在于精确控制其相变状态，因此对于退火的温度、时间、气氛等提出了严格的要求：

1、精确的温度控制
退火温度须高于GST结晶温度，且低于其熔点温度（约600°C），温度过低，结晶无法发生或速度过慢；温度过高则可能导致器件功能破坏或材料分解。

2、严谨的时间窗口
退火时间需确保材料完成充分的晶核形成与晶粒生长，同时防止时间过长导致的晶粒过度生长或不必要的相分离。

3、惰性氛围保护
退火通常在氮气或氩气等惰性环境中进行，以避免GST材料（特别是碲）在高温下被氧化。

根据以上GST半导体材料的特性，晟鼎RTP快速退火炉提供了可靠的解决方案：

1、精准的温度控制：
温度制程范围覆盖200-1250℃，采用PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性，符合GST材料对于退火温度要求。

2、升温速率快：
可达150℃/s，工艺时间短，可避免GST材料结晶过度或相分离。

3、工艺灵活：
标配2组工艺气体，可根据不同材料需求调节气体，满足GST材料对于惰性气氛的要求。